加速壽命試驗的理論依據(jù)
半導體器件等電子元器件在使用或儲存過程中，總存在著某種比較緩慢的物理化學 變化。當這一物理化學變化過程發(fā)展到一定階段，器件的外觀特性和功能就逐步變化，最 終導致特性的退化和功能的完全喪失，即失效。器件的失效大多是由于器件表面狀態(tài)的 變化和體內(nèi)、金屬化系統(tǒng)等的物理化學變化造成的。例如，由于PN結附近有雜質(zhì)離子或 其他沾污形成導電溝道,使器件反向漏電流變大、擊穿電壓下降;由于表面復合速度變大， 使晶體管的電流放大系數(shù)降低;由于鍵合點形成導電性能不好，機械強度脆弱的化合物會 造成器件開路;由于濕氣或其他有害氣體侵人管殼內(nèi)產(chǎn)生化學腐蝕，使器件的內(nèi)引線或互 連鋁線斷開而失效，等等。這些變化實質(zhì)上都是物理化學變化過程。它們的變化過程與溫度有密切關系。當溫度升高以后，這些物理變化過程大大加快，器件的失效過程被加 速，這就是加速壽命試驗的理論依據(jù)。
加速壽命試驗的常用模型有阿列尼烏斯模型、愛倫模型及以電應力為加速變量的加 速模型，下面分別預以介紹。